FDV301N MOSFET N-Ch Digital
♠ Paglalarawan ng Produkto
| Katangian ng Produkto | Halaga ng Katangian |
| Tagagawa: | onsemi |
| Kategorya ng Produkto: | MOSFET |
| RoHS: | Mga Detalye |
| Teknolohiya: | Si |
| Estilo ng Pag-mount: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Bilang ng mga Channel: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 220 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 700 mV |
| Qg - Gate Charge: | 700 pC |
| Pinakamababang Operating Temperatura: | - 55 C |
| Pinakamataas na Operating Temperatura: | + 150 C |
| Pd - Pagkawala ng Kapangyarihan: | 350 mW |
| Channel Mode: | Pagpapahusay |
| Packaging: | reel |
| Packaging: | Gupitin ang Tape |
| Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Walang asawa |
| Tag lagas: | 6 ns |
| Pagpasa ng Transconductance - Min: | 0.2 S |
| Taas: | 1.2 mm |
| Haba: | 2.9 mm |
| produkto: | MOSFET Maliit na Signal |
| Uri ng Produkto: | MOSFET |
| Oras ng Pagbangon: | 6 ns |
| Serye: | FDV301N |
| Dami ng Factory Pack: | 3000 |
| Subcategory: | Mga MOSFET |
| Uri ng Transistor: | 1 N-Channel |
| Uri: | FET |
| Karaniwang Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off: | 3.5 ns |
| Karaniwang Oras ng Pagkaantala sa Pag-on: | 3.2 ns |
| Lapad: | 1.3 mm |
| Bahagi # Mga alias: | FDV301N_NL |
| Timbang ng Yunit: | 0.000282 oz |
♠ Digital FET, N-Channel FDV301N, FDV301N-F169
Itong N−Channel logic level enhancement mode field effect transistor ay ginawa gamit ang onsemi's proprietary, high cell density, DMOS technology.Ang napakataas na proseso ng density na ito ay partikular na iniakma upang mabawasan ang on-state na resistensya.Idinisenyo ang device na ito lalo na para sa mga application na mababa ang boltahe bilang kapalit ng mga digital transistor.Dahil ang mga bias resistors ay hindi kinakailangan, ang isang N−channel FET ay maaaring palitan ang ilang iba't ibang mga digital transistors, na may iba't ibang mga halaga ng bias resistor.
• 25 V, 0.22 A Continuous, 0.5 A Peak
♦ RDS(on) = 5 @ VGS = 2.7 V
♦ RDS(on) = 4 @ VGS = 4.5 V
• Napakababang Antas na Mga Kinakailangan sa Gate Drive na Nagbibigay-daan sa Direktang Operasyon sa 3 V Circuit.VGS(ika) < 1.06 V
• Gate−Source Zener para sa ESD Ruggedness.> 6 kV Modelo ng Katawan ng Tao
• Palitan ang Maramihang NPN Digital Transistors ng Isang DMOS FET
• Ang Device na ito ay Pb−Free at Halide Free
