BSS123 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
♠ Paglalarawan ng Produkto
| Katangian ng Produkto | Halaga ng Katangian |
| Tagagawa: | onsemi |
| Kategorya ng Produkto: | MOSFET |
| Teknolohiya: | Si |
| Estilo ng Pag-mount: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Bilang ng mga Channel: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 170 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Qg - Gate Charge: | 2.5 nC |
| Pinakamababang Operating Temperatura: | - 55 C |
| Pinakamataas na Operating Temperatura: | + 150 C |
| Pd - Pagkawala ng Kapangyarihan: | 300 mW |
| Channel Mode: | Pagpapahusay |
| Packaging: | reel |
| Packaging: | Gupitin ang Tape |
| Packaging: | MouseReel |
| Brand: | onsemi / Fairchild |
| Configuration: | Walang asawa |
| Tag lagas: | 9 ns |
| Pagpasa ng Transconductance - Min: | 0.8 S |
| Taas: | 1.2 mm |
| Haba: | 2.9 mm |
| produkto: | MOSFET Maliit na Signal |
| Uri ng Produkto: | MOSFET |
| Oras ng Pagbangon: | 9 ns |
| Serye: | BSS123 |
| Dami ng Factory Pack: | 3000 |
| Subcategory: | Mga MOSFET |
| Uri ng Transistor: | 1 N-Channel |
| Uri: | FET |
| Karaniwang Oras ng Pagkaantala ng Turn-Off: | 17 ns |
| Karaniwang Oras ng Pagkaantala sa Pag-on: | 1.7 ns |
| Lapad: | 1.3 mm |
| Bahagi # Mga alias: | BSS123_NL |
| Timbang ng Yunit: | 0.000282 oz |
♠ N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
Ang mga transistors ng field effect ng N−Channel enhancement mode na ito ay ginawa gamit ang onsemi's proprietary, high cell density, DMOS technology.Ang mga produktong ito ay idinisenyo upang mabawasan ang on-state na resistensya habang nagbibigay ng masungit, maaasahan, at mabilis na pagganap ng paglipat.Ang mga produktong ito ay partikular na angkop para sa mababang boltahe, mababang kasalukuyang mga application tulad ng maliit na servo motor control, power MOSFET gate driver, at iba pang switching application.
• 0.17 A, 100 V
♦ RDS(on) = 6 @ VGS = 10 V
♦ RDS(on) = 10 @ VGS = 4.5 V
• High Density Cell Design para sa Extremely Low RDS(on)
• Masungit at Maaasahan
• Compact Industry Standard SOT−23 Surface Mount Package
• Ang Device na ito ay Pb−Free at Halogen Free
